掃描電鏡并非通過(guò)直接觀測(cè)來(lái)獲得樣品信息，而是通過(guò)發(fā)射電子束對(duì)樣品進(jìn)行激發(fā)，并利用背散射或二次電子探測(cè)器對(duì)被觀測(cè)物體的成分和形貌進(jìn)行分析。要獲得準(zhǔn)確的結(jié)果，測(cè)試樣品B須符合一定的要求。以下是SEM掃描電鏡對(duì)測(cè)試樣品的要求：

1. 形貌形態(tài)，要耐高真空

掃描電鏡是靠電子束掃描物體表面來(lái)成像的?？諝獾拇嬖跁?huì)使的電子束變型，影響掃描效果，所以被測(cè)樣品比較能耐高真空。

2．樣品表面不能含有有機(jī)油脂類(lèi)污染物

油污在電子束作用下容易分解成碳?xì)浠?，?duì)真空環(huán)境造成很大污染。樣品表面細(xì)節(jié)被碳?xì)浠衔镎谏w；碳?xì)浠衔锝档土顺上裥盘?hào)產(chǎn)量；碳?xì)浠衔镂皆陔娮邮饴芬鸷艽笙笊ⅲ惶細(xì)浠衔锉晃皆谔綔y(cè)器晶體表面，降低探測(cè)器效率。對(duì)低加速電壓的電子束干擾嚴(yán)重。

3．樣品要是干燥的

水蒸氣會(huì)加速電子槍陰極材料的揮發(fā)，從而很大降低燈絲壽命；水蒸氣會(huì)散射電子束，增加電子束能量分散，從而增加大的色差，降低分辨能力。

4．樣品表面可以導(dǎo)電

樣品表面要可以導(dǎo)電，如果不能導(dǎo)電，則要鍍金以增加導(dǎo)電性。在大多數(shù)情況下，初級(jí)電子束電荷數(shù)量都大于背散射電子和二次電子數(shù)量之和，因此多余的電子要導(dǎo)入地下，即樣品表面電位要保持在0電位。如果樣品表面不導(dǎo)電，或者樣品接地線斷裂，那么樣品表面靜電荷存在，使得表面負(fù)電勢(shì)不斷增加，出現(xiàn)充電效應(yīng)，使圖像畸變，入射電子束減速，此時(shí)樣品如同一個(gè)電子平面鏡。對(duì)不導(dǎo)電的樣品，建議采用離子濺射鍍膜機(jī)噴鍍金屬，這樣可以顯著提高掃描電子顯微鏡所觀察圖像的質(zhì)量。

5．特殊樣品制備的考慮因素

SEM掃描電鏡一般不建議觀測(cè)磁性材料，如果一定要觀測(cè)此類(lèi)物質(zhì)，則建議對(duì)材料首先進(jìn)行退磁。如果要檢測(cè)觀察弱反差機(jī)理，就要消除強(qiáng)反差機(jī)理（例如，形貌反差），否則很難檢測(cè)到弱的反差。當(dāng)希望背散射電子衍射反差（EBSD），I和II型磁反差或其他弱反差機(jī)理時(shí)，磁性材料的磁疇特性必需消除樣品的形貌。采用化學(xué)拋光，電解拋光等，以使樣品產(chǎn)生一個(gè)幾乎消除形貌的鏡面。

在測(cè)試前，B須確保樣品符合上述要求，以獲得準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果。