SEM掃描電鏡在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用介紹：由于半導(dǎo)體器件體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、功率損耗小、機(jī)械性能好. 因而適用的范閘極廣。然而半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性在很大程度上受它表面的微觀狀態(tài)的影響。一般在半導(dǎo)體器件試制和生產(chǎn)過程中包括了切割、研磨、拋光以及各種化學(xué)試劑處理等一系列工序，正是在這些過程中，會(huì)造成表面的結(jié)構(gòu)發(fā)生驚人的變化，所以幾乎每一個(gè)步驟都需要對(duì)擴(kuò)散rx-. 的深度進(jìn)行測(cè)繭或者直接看到擴(kuò)散區(qū)的實(shí)際分布情況，而生產(chǎn)大型集成電路就更是如此。目前，掃描電鏡在半導(dǎo)體中的應(yīng)用已經(jīng)深入到許多方面。

質(zhì)量監(jiān)控與工藝診斷

硅片表面粘污常常是影響微電子器件生產(chǎn)質(zhì)量的嚴(yán)重問題。SEM掃描電鏡可以檢查和鑒定粘污的種類、來源，以清除粘污，如果配備 X 射線能譜儀，在觀察形態(tài)的同時(shí)，可以分析 這些粘污物的主要元素成分。用掃描電鏡還可以檢查硅片表面殘留的涂層或均勻薄膜 也能顯示其異質(zhì)的結(jié)構(gòu)。在器件加工中，SEM掃描電鏡可以檢查金屬化的質(zhì)量，如 Si02 、PSG、PBSG 等鈍化層臺(tái)階 的角度。臺(tái)階上金屬化的形態(tài)關(guān)系到器件的成品率和可靠性，因此國(guó)內(nèi)外早已制定了掃描電鏡檢查金屬化的標(biāo)準(zhǔn)并作為例行抽驗(yàn)項(xiàng)目。

當(dāng) IC 的加工線條進(jìn)入亞微米階段，為了生產(chǎn)出亞微米電路所需的精密結(jié)構(gòu)，利用掃 描電鏡進(jìn)行工藝檢查，控制精度在納米數(shù)量級(jí)。在機(jī)械加工過程中，會(huì)引起表面層的晶格發(fā)生損傷。損傷程度一方面取決于切割方 法、振動(dòng)與磨料選擇的情況，同時(shí)也取決于晶體本身的抗損傷能力。利用SEM掃描電鏡中產(chǎn)生的特征衍射圖樣的變化，可以直觀而靈敏地看到表面的結(jié)構(gòu)狀況以及晶格結(jié)構(gòu)完整性在不同深度上的分布，從而確定表面損傷程度。

器件分析

掃描電鏡可以對(duì)器件的尺寸和一些重要的物理參數(shù)進(jìn)行分析，如結(jié)深、耗盡層寬度 少子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度等等，也就是對(duì)器件的設(shè)計(jì)、工藝進(jìn)行修改和調(diào)整。SEM掃描電鏡二次電子像可以分析器件的表面形貌，結(jié)合縱向剖面解剖和腐蝕，可以確定 PN 結(jié)的位置、結(jié)的 深度。利用掃描電鏡束感生電流工作模式，可以得到器件結(jié)深、耗盡層寬度、MOS 管溝道長(zhǎng) 度，還能測(cè)量擴(kuò)散長(zhǎng)度、少子壽命等物理參數(shù)。對(duì)于 1 nm 以下的短溝道器件檢測(cè)，可用類似于測(cè)量耗盡層寬度的方法，電子束對(duì)MOS 場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行掃描，得到二條柬感生電流曲線，就可得知此場(chǎng)效應(yīng)管的溝道長(zhǎng)度。

失效分析和可靠性研究

相當(dāng)多器件的失效與金屬化有關(guān)，對(duì)于超大規(guī)模電路來說，金屬化的問題更多，如出現(xiàn)電遷移，金屬化與硅的接觸電阻，鋁中硅粒子，鋁因鈍化層引起應(yīng)力空洞等。SEM掃描電鏡是失效分析和可靠性研究中*重要的分析儀器，可觀察研究金屬化層的機(jī)械損傷、臺(tái)階上金屬化裂縫和化學(xué)腐蝕等問題。用掃描電鏡的電壓襯度和柬感生電流可以觀察 PN 結(jié)中存在的位錯(cuò)等缺陷，如漏電 流大、軟擊穿、溝道、管道等電性能。正常 PN 結(jié)的束感生電流因是均勻的;而當(dāng)PN 結(jié)中存在位錯(cuò)或其他缺陸時(shí)，這些缺陷成為復(fù)合中心，電子束產(chǎn)生的電子、空穴在缺陷處迅速復(fù)合，因此，在PN 結(jié)的束感生電流圖中，缺陷位錯(cuò)處出現(xiàn)黑點(diǎn)、線條或網(wǎng)絡(luò)。CMOS 器件的問鎖效應(yīng)（ latch-up） 是嚴(yán)重影響 CMOS 電路安全使用的失效機(jī)理。在SEM掃描電鏡中的靜態(tài)電壓襯度和閃頻電壓襯度可以觀察分析整個(gè)電路中哪些部分發(fā)生了習(xí)鎖現(xiàn)象。發(fā)生問鎖效應(yīng)時(shí)，有關(guān)寄生晶體管呈導(dǎo)通狀，大電流流過寄生 PN 通道中的阱與襯底，造成在 P 阱里有較大的電位升高，同時(shí) N 襯底的電位降低。這種電位變化在 SEM 的電壓襯度和閃頻電壓襯度工作模式中，發(fā)生變化處圖像的亮度也隨之發(fā)生變化，因而可以較方便地分辨出來。

電子材料研制分析

隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)電子材料的性能及環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)提出了更高的要求。應(yīng)用掃描電鏡研究消磁用熱敏電阻的顯微形貌，結(jié)果顯示，利用以擰穰酸鹽凝膠包裹法制備的納米粉體燒結(jié)而成的 PTC 熱敏電阻，粒徑在 5μm 左右，而且分布較均勻，沒有影響材料性能的粗大顆粒存在;此外，材料中的晶粒幾乎全部發(fā)育成棒狀（或針狀）晶體，表明擰攘酸鹽凝膠包裹法及適當(dāng)?shù)臒Y(jié)工藝可以研制無鉛的環(huán)保型高性能熱敏電阻。利用SEM掃描電鏡觀察真空微電子二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖像，可準(zhǔn)確測(cè)量出發(fā)射尖錐的頂角和門極小孔的直徑，這對(duì)檢測(cè)和研制真空微電子二極管是極其有用的。這種真空微電子二極管、三極管可以在大氣壓下正常工作，不必對(duì)它們實(shí)行排氣即可獲得"真空"工作 的條件（胡問國(guó)等，1993）。利用掃描電鏡的柬感應(yīng)電流（EBIC）像和吸收電流像（AEI）分別觀察NTD硅單晶和區(qū)熔硅單晶高壓整流元件 PN 結(jié)的平整度、結(jié)深、耗盡區(qū)內(nèi)的缺陸特征及其分布和少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的變化，直觀地顯示 NTD 硅單晶材料的徑向和軸向電阻率均勻，制得的 PN 結(jié)比較平坦，以及熱中子輻射損傷在晶體中造成大量缺陷，這些缺陷使少子擴(kuò)散長(zhǎng)度和平均壽命縮短。因此，可控制中子輻射損傷和選用合適的退火工藝消除內(nèi)部缺陷，提高 NTD 硅單晶質(zhì)量。

半導(dǎo)體材料中的動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象如擴(kuò)散和相變具有很重要的意義

用SEM掃描電鏡跟蹤鋁薄膜條在大電流密度下的電遷移行為，便可以得到有關(guān)空洞移動(dòng)和熔化解潤(rùn)失效的細(xì)節(jié)。此外，利用能譜儀顯微分析技術(shù)也可以對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行各種成分分析。